Компания Samsung Electronics объявила о разработке первого в индустрии 64-гигабитного чипа флэш-памяти типа NAND с многоуровневым дизайном (МLC) ячеек, произведенного согласно нормам 30-нм технологического процесса.
Максимальный размер модуля, который можно будет получить из представленных чипов, составляет 128 Гб (шестнадцать 64-гигабитных микросхем). Карта флэш-памяти такого объема способна разместить около 32 тысяч музыкальных файлов в формате MP3.
Сообщается, что производство чипа со столь малым размером элементов стало возможным благодаря применению нового технологического процесса сборки, именуемого "экспонирование с двойным шаблоном и самовыравниванием" (self-aligned double patterning technology, SaDPT) с двухэтапным нанесением литографического рисунка на поверхность подложки. Кроме 64-гигабитной новинки, компания представила 32-гигабитный одноуровневый чип (SLC) флэш-памяти NAND, также произведенный с помощью технологии SaDPT.
Samsung обещает наладить массовый выпуск 30-нм 64-гигабитных чипов в 2009 году.
