Японская компания Fujitsu сообщила о разработке комплекса новых технологий, которые позволят снизить потребление мощности и повысить производительность 45-нм микросхем с высокой степенью интеграции. «Ноу-хау» представлено двумя основными технологиями, одна из которых позволяет уменьшить токи утечки в 5 раз, а другая – уменьшить задержки на 14% при прохождении сигналов по соединительным проводникам. Инновационные разработки были представлены на симпозиуме VLSI Technology 2007.
При переходе на 45-нм проектные нормы увеличиваются токи утечки (ток между истоком и стоком при нулевом напряжении на затворе). Для решения этой проблемы инженеры Fujitsu предложили уменьшить глубину истока и стока, что влечет за собой увеличение сопротивления токам утечки. Для того, чтобы одновременно с этим не уменьшалось быстродействие транзисторов, была разработана новая высокотемпературная технология отжига для формирования истока и стока.
Также при 45-нм техпроцессе уменьшается диаметр межсоединений, что приводит к увеличению сопротивления проводников и уменьшению быстродействия, возрастает электрическая емкость межсоединений и, соответственно, задержки при передаче сигналов по проводникам. Для решения проблемы разработчики предложили использовать изоляторы с малым значением диэлектрической постоянной (k=2,25).
Fujitsu планирует внедрить новые технологии в 2008 году при производстве LSI-микросхем для мобильных устройств.
