Для решения проблемы тока утечки, которая становится все более угрожающей с уменьшением размера транзисторов в современных интегральных схемах, один из крупнейших мировых производителей полупроводниковых продуктов компания Texas Instruments Inc. (TI) заявила о намерении использовать материалы с высокой диэлектрической постоянной (high-k диэлектриков) при производстве чипов согласно нормам 45-нм технологического процесса.
Напомним, что в июне 2006 года TI объявила о планах по переходу на 45-нм техпроцесс, который, позволит удвоить выход готовых продуктов при использовании 193-нм иммерсионной литографии, по сравнению с 65-нм производством. Кроме того, с помощью внедрения новых технологий, компания намерена на 30% увеличить производительность SoC-процессоров, уменьшив при этом энергопотребление последних примерно на 40%.
Представители компании утверждают, что использование для изготовления затвора транзисторов материала на основе гафния (HfSiON) позволит уменьшить ток утечки примерно в 30 раз, по сравнению с используемыми в настоящее время затворами из диоксида кремния (SiO2). Согласно официальному пресс-релизу, использование нового материала не отразится на быстродействии полевых транзисторов микросхем. Кроме того, применение HfSiON в качестве материала затвора возможно и при переходе на 32-нм технологический процесс производства полупроводниковых продуктов.
Ожидается, что первые тестовые образцы 45-нм микросхем будут отгружены уже в этом году. Старт массового производства намечен на середину 2008 года.
